低損耗模擬電子負(fù)載是指能模擬真實(shí)負(fù)載某些特性的電子設(shè)備，它不僅可模擬不同數(shù)值的電阻、電感、電容及它們的組合，而且對(duì)于非線性負(fù)載的某些特性也可模擬。電子負(fù)載通過控制輸入電流達(dá)到模擬各種負(fù)載的目的，具有調(diào)節(jié)方便、通用性強(qiáng)、精度高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，是電源試驗(yàn)測(cè)試用負(fù)載的發(fā)展方向。

　　低損耗模擬電子負(fù)載又分為能量消耗型和能量回饋型兩類，由于輸入電流受控，兩者均具有電子負(fù)載模擬功能強(qiáng)、控制精度高的優(yōu)點(diǎn)。但能量消耗型電子負(fù)載從電源吸收的有功電能仍須通過電阻消耗，而能量回饋電網(wǎng)型電子負(fù)載與它的區(qū)別在于：一方面，它從被試電源吸收的電能可大量的為被試電源循環(huán)使用，損耗僅僅是變流器的開關(guān)損耗和線路損耗，從而大限度地節(jié)約了電能;另一方面，由于所采用的PWM變流器工作在開關(guān)狀態(tài)，與一般工作在放大狀態(tài)的電子負(fù)載相比它可很容易地實(shí)現(xiàn)大功率應(yīng)用的要求，因而具有更廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域。

　　能量回饋型電子負(fù)載的關(guān)鍵技術(shù)是無污染回饋電網(wǎng)技術(shù)和負(fù)載電流特性模擬技術(shù)。目前，采用晶閘管有源逆變回饋電網(wǎng)的技術(shù)在國(guó)內(nèi)是成熟技術(shù)，該技術(shù)在繞線式交流異步電機(jī)串級(jí)調(diào)速、直流電動(dòng)機(jī)四象限調(diào)速運(yùn)行等領(lǐng)域已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用;在電子負(fù)載應(yīng)用方面，也已用于蓄電池生產(chǎn)過程中的極板化成放電和電池放電。但存在回饋電網(wǎng)的電流諧波大、功率因數(shù)低等缺點(diǎn)，對(duì)電網(wǎng)形成污染，限制了它的推廣應(yīng)用。

　　低損耗模擬電子負(fù)載載的作用：能模擬一個(gè)參數(shù)可任意變化的負(fù)載，從而可測(cè)試電源在各種普通狀態(tài)和極限狀態(tài)下的表現(xiàn)。蓄電池也是電源，蓄電池的放電和放電測(cè)試也是免不了需要放電參數(shù)，以免電池受到傷害，比如恒流放電、恒功率放電、定電量放電、定時(shí)放電、過壓自停等等，當(dāng)然這需要電子負(fù)載具有條件觸發(fā)功能，如定時(shí)觸發(fā)、累計(jì)值觸發(fā)、參數(shù)閥值觸發(fā)等等。電子負(fù)載應(yīng)該有完善的保護(hù)功能。在開關(guān)電源的調(diào)試中，充電器的測(cè)試中，電子負(fù)載起到了功不可沒的作用。

　　低損耗模擬電子負(fù)載的原理是控制內(nèi)部功率MOSFET或晶體管的導(dǎo)通量（占空比大?。?靠功率管的耗散功率消耗電能的設(shè)備，它能夠準(zhǔn)確檢測(cè)出負(fù)載電壓，精確調(diào)整負(fù)載電流，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)模擬負(fù)載短路，模擬負(fù)載是感性阻性和容性，容性負(fù)載電流上升時(shí)間。一般開關(guān)電源的調(diào)試檢測(cè)是*的。